In a german forum someone claimed that the future for the semicondutor industry will not be found in Gallium arsenid but in Gallium nitride. He wrote that gallium nitrid has a higher band gap (3,4 eV plus) and a higher distruptive strength (3,3 MV/cm), etc. (for who can read german I paste the text at the end of the message)
Honestly, I don't understand much from all these technical details - maybe someone could explain me, whether Gallium nitrid is better than Gallium arsenid and whether somone in the semiconductor industry is working on a product with Gallium nitride.
Here the german text:
"Galliumnitrid hat einen viel höheren Bandabstand 3,4 eV plus eine höhere Durchbruchfeldstärke 3,3 MV/cm. Galliumnitrid-Bauteile können bei deutlich höheren Spannungen und Temperaturen als die bislang eingesetzten Silizium- oder Gallium-Arsenid-Komponenten betrieben werden. Die Schaltungen sind kompakter, kleiner und leichter als die bisherigen Lösungen. Wegen der hohen Lebensdauer und Strahlenbeständigkeit werden gerade auch einige Komponenten unter Extrembedingungen im All getestet. Die höhere Spannungsfestigkeit und Stromdichte sorgen für eine Steigerung der Leistungsdichte in Anwendungen um den Faktor fünf. Zudem ist der nutzbare Frequenzbereich bei Galliumnitrid größer, wodurch mehrere Funktionen in einem Chip integriert werden können."
